江苏省最好的硅片回收由于在扩散过程中，即使采用背靠背扩散，硅片回收的所有表面包括边缘都将不可避免地扩散上磷。PN结的正面所收集到的光生电子会沿着边缘扩散有磷的区域流到PN结的背面，而造成短路。因此，硅片回收必须对太阳能电池周边的掺杂硅进行刻蚀，以去除电池边缘的PN结。通常采用等离子刻蚀技术完成这一工艺。
通过三氯氧磷和硅片进行反应，得到磷原子。经过一定时间，磷原子从四周进入硅片的表面层，并且通过硅原子之间的空隙向硅片回收内部渗透扩散，形成了N型半导体和P型半导体的交界面。这种方法制出的PN结均匀性好,方块电阻的不均匀性小于百分之十。
为了获得均匀的绒面，还应在溶液中酌量添加醇类如乙醇和异丙醇等作为络合剂，以加快硅片回收的腐蚀。制备绒面前，硅片回收须先进行初步表面腐蚀，用碱性或酸性腐蚀液蚀，在硅片回收后，进行一般的化学清洗。经过表面准备的硅片都不宜在水中久存，以防沾污，应尽快扩散制结。
硅的各向异性腐蚀液通常用热的碱性溶液，可用的碱有氢氧化钠，氢氧化钾、氢氧化锂和乙二胺等。于入射光在表面的多次反射和折射，增加了光的吸收，提高了电池的短路电流和转换效率。