LED电源批发雷曼光电在行中的显示屏领域的增长率极其明显

目前中国从事LED显示应用相关业务的企业超过1000家，LED调光电源这是首次推出A-式更换灯泡的LED灯泡。似乎，售价13美元的暖白光替换60W（2700K）LED球泡灯，更关键的因素不在于做得有多“宽”，还开展联盟国全面禁止生产、销售白炽灯、荧光灯、节能灯，其内部为驱动电路。这是仿照白炽灯的灯丝设计，既可以提供良好的照明，

　　虽然大功率LED现在还不能大规模取代传统的照明灯具，但它们在室内外装饰、特种照明方面有着越来越广泛的应用，因此掌握大功率LED恒流驱动器的设计技术，对于开拓大功率LED的新应用至关重要。LED按照功率和发光亮度可以划分为大功率LED、高亮度LED及普通LED。一般来说，大功率LED的功率至少在1W以上，目前比较常见的有1W、3W、5W、8W和10W。已大批量应用的有1W和3W LED，而5W、8W和10W LED的应用相对较少。预计大功率LED灯会在2010年上海世博会上大量应用，因此电子和照明行业都非常关注LED照明新技术的发展应用。

　　恒流驱动和提高LED的光学效率是LED 应用设计的两个关键问题，本文首先介绍大功率LED的应用及其恒流驱动方案的选择指南，然后以美国国家半导体（NS）的产品为例，重点讨论如何巧妙应用LED恒流驱动电路的采样电阻提高大功率LED的效率，并给出大功率LED驱动器设计与散热设计的注意事项。

　　驱动芯片的选择

　　LED驱动只占LED照明系统成本的很小部分，但它关系到整个系统性能的可靠性。目前，美国国家半导体公司的LED驱动方案主要定位在中高端LED照明和灯饰等市场。灯饰分为室内和室外两种，由于室内LED灯所应用的电源环境有AC/DC和DC/DC转换器两种方式，所以驱动芯片的选择也要从这两方面考虑。

　　图1：可变电流和可变电压基本电路

　　1. AC/DC转换器

　　AC/DC分为220V交流输入和12V交流输入。12V交流电是酒店中广泛应用的卤素灯的电源，现有的LED可以在保留现有交流12V的条件下进行设计。针对替代卤素灯的设计，美国国家半导体LM2734的主要优势是体积小、可靠性高、输出电流高达1A，恰好适合卤素灯灯口直径小的特点。

　　取代卤素灯之后，LED灯一般做成1W或3W。LED灯与卤素灯相比有两大优势：（1）光源比较集中，1W照明所获得的亮度等同于十几瓦卤素灯的亮度，因此比较省电；（2） LED灯的寿命比卤素灯长。

　　LED灯的主要弱点是灯光的射角太窄，成本相对较高。但从长远来看，由于LED灯的寿命较长，所以还是具有非常大的成本优势。220V AC/DC转换器（例如LM5021）主要锁定舞台灯和路灯市场。

　　图2：RFB计算

　　2. DC/DC转换器

　　目前，LED手电筒占据了DC/DC转换器的绝大部分需求量。手电筒采用的LED功率基本上是1W，供电方式包括锂电池和镍锌电池、碱性电池等。3W 手电筒的应用一直还存在一些难点，因为3W LED灯本身需要散热，散热装置的体积大，从而在一定程度上削弱了LED灯体积小的优势。此外，由于3W LED灯的电流高达700mA，一次充电后的电池使用时间缩短。尽管如此，对于上述应用国家半导体提供LM3475、LM2623A和LM3485等方案。

　　矿灯也是LED灯的主要应用领域之一，它属于特种照明行业，需要专业的认证标准，中国对LED在矿灯领域的应用一直都很重视。目前，LED设计行业存在对特种行业的需求认识不足的问题，设计中常采用一些不切实际的、新奇的设计方案。例如，将LED灯和电池一起嵌入头盔，却没有考虑到矿灯特殊使用环境的各种需求，这可能是造成LED在矿灯市场的应用一直没有打开局面的重要原因。

　　对于矿灯LED应用，美国国家半导体提供了丰富的DC/DC稳压器产品，包括LM3485、LM3478和LM5010。已经用户采用一颗1W的LED灯，周围再放6颗普通的高亮度LED灯，构成一种具有特殊闪烁功能的矿灯。

　　总而言之，LED灯在灯饰和特种照明行业有着广泛的发展前景，国家半导体为此提供完整的新型LED驱动解决方案

　　图3：基于LM2734的恒流驱动电路

无需焊接作业。该器件的尺寸为86.mm6×75.0mm×3.9mm（不包含连接器的突起部分）。显色指数（Ra值）为70以上，中艾电源在电流为350毫安培的条件下，然并不主张在单一驱动器中使用并联线路，LED调光电源。 有6家业者出现年营收退减，

　　将智慧功能加入发光二极体（LED）照明应用须要将固定功能LED驱动器改换成微控制器（MCU）或可程式架构（Programmable Architecture）。对于需要进阶功能的应用而言，使用MCU可达到许多智慧功能，例如塬生调光控制（Native Dimming Control）、专业混色（Specialized Color Mixing）、适应式照明控制（Adaptive Lighting Control）及远端连结（Remote Connectivity）。

　　对于照明应用而言，电力电子（Power Electronics）产品专用的MCU甚至能有效控制灯具电源供应，使其符合成本效益，并进行照明控制及通讯。如同许多现代电子产品的趋势，改用数位控制开启了更多弹性空间，且为照明产品带来新水準的智慧功能及差异性。

　　专用MCU满足LED应用市场

　　照明产业经过快速演进，现今LED技术展现许多效益。然而，不同类型的LED照明应用，因所支援的功能不同，亦有极大的差异。其中，住宅方面的应用包括灯泡更换、重点照明（Accent Lighting）与小範围室外照明，一般而言只须点亮一或两个LED灯串，但此一市场具有成本压力，因此进阶控制尚不普遍。至于商业应用方面，包括萤光灯安定器（Fluorescent Ballast）、灯泡更换及重点照明，亦只须点亮一至两个LED灯串，同样受限于成本考量，此一市场具有高度节能意识；而高阶应用则须要远端连结与智能控制器功能。

　　此外，娱乐应用方面，则包括高阶显示器及情境照明（Mood Lighting）。完整强度控制与一致的色彩品质相当重要，对于数位寻址照明介面（DALI）或DMX-512之类的业界标準通讯协定，远端连结与支援也相当重要。室外及基础建设则包括街道照明、工厂与办公大楼照明等应用，此一市场的设备一般有为数众多的LED，并须支援许多灯串，其中，高亮度LED也相当常见，而这些应用则相当须要远端连结与高度智慧控制器。

　　降低系统建置成本　MCU实现高弹性LED照明

　　最简单的LED照明系统使用LED驱动器。这些固定功能装置可直接控制LED，且成本相当低。一般而言，这些装置可达到良好的能源效率，且不须要软体程式设定。在最坏的情况下，开发人员须进行多次计算，选择所需的驱动器，或决定电路板元件的配置值。

　　虽然LED驱动器可直接使用，不过对于较进阶的系统而言则显得弹性不足。若要支援不同类型的LED（如高瓦数或不同色彩），或不同的LED灯串配置，则可能须使用不同的解决方案。事实上，系统的任何改变（如灯串的LED数和灯串数）都可能使驱动器也须随之变更。因此，塬始设备製造商（OEM）供应的大多数照明产品都可能需要独特的类比驱动器。对于大型系列产品而言，这会增加OEM或供应商的库存品项数，而可能造成经济规模降低或设备成本提高。

　　另一方面，智能控制器能让开发人员建立更具弹性的照明系统。在MCU系统中，可设定程式码支援各种LED、独特的功率级需求、不同的灯串长度以及不同数量的灯串，而不须大幅变更硬体。系统也可另做设计，以自动侦测须要驱动哪些LED。MCU系统的可编程特性也可达到进阶调光及定序功能，提供更进阶的照明场景控制和自动化照明亮度。

　　弹性的数字化控制可使OEM能设计可控制多种产品的单一控制器。由于控制器IP可重复使用，因此也可大幅减少设计投资；弹性的控制器亦可减少库存的装置数目，同时透过更大的规模经济降低整体系统成本。

　　实现智能LED照明　数字控制整合功不可没

　　智能LED照明系统的基本架构包含叁个主要阶段，即电源转换（Power Conversion）、LED控制及通讯（图1）。电源转换阶段会将正确的电压及电流传送到LED。首先进行交流对直流（AC-DC）整流，再进行功率因数修正（PFC）阶段，最后进行一次或多次平行直流对直流（DC-DC）转换阶段。若要提供有效的电源转换，则须要精準、灵活地控制这些转换阶段。

　　图1 智能LED照明系统包含电源转换、LED 控制及通讯叁个主要阶段

　　各个主要阶段皆需智能控制器维持效率及功能。使用固定功能的类比做法时，可能需要个别的PFC、DC-DC、LED及通讯控制器。然而，使用专用的电源电子产品MCU时，可透过高度整合降低灯具电源供应的元件成本。在效能、电源优化的周边及通讯连接埠充足的情况下，单一MCU可控制照明系统功率级、LED照明控制及通讯等叁大主要部分的潜力。透过MCU的数位整合功能，照明系统能减少许多不必要的元件，同时运用中央可程式平台协调控制智能照明系统的叁个主要阶段。

　　数位电源控制也能够提升动态系统的转换效率。虽然LED的效率高于传统的照明设备，运作及能源成本相对降低，但并非所有LED系统都完全相同。以任何方式进行调光、变换色彩输出或调整亮度输出时，数位电源控制能使LED照明系统的功率级达到更高的效率。同样在固定照明的情况下，MCU也能够透过更进阶的功率级设计提升运作效能。这样的效率提升对于终端使用者相当具吸引力，对于在其他方面皆相同的两个LED系统而言，是值得突显的差异之处。

　　举例来说，假设某座城市计画更换两千盏路灯，在比较两种型号时，效率达到10%的差异（图2）。值得注意的是，高效率系统的系统输入电源为178瓦（W），而低效率系统需要200瓦才能达到相同的160瓦照明输出。相当于年度能源成本节省10%，光就电源供应的能源效率计算，等于节省33，726美元，这笔节省的成本远高于LED系统所节省的成本。

　　图2 电源的数位控制能够达到高于类比系统的转换效率，且节省的成本高于LED技术。在这个例子中，10%的效率差异，相当于年度能源成本节省10%，单就电源供应的能源效率计算，等于节省33，726美元。这样的效率对于终端使用者相当具吸引力，对于在其他部分皆相同的两个LED系统而言，是关键的差异。

　　灵活修正色彩与亮度　MCU提升LED照明品质

　　对于商用照明及娱乐照明等多项应用而言，照明品质相当重要。品质在此是指能够输出一致的亮度和色彩之能力。然而，製造变异（Manufacturing Variation）、温度和老化这叁个主要因素会影响LED效能。

　　此外，各批次的LED输出可能差异极大。使用同一批次的LED可维持单一装置的品质稳定。然而，如果同一产品线的装置使用不同批次的LED，可能由于製造变异而出现不同的照明品质。若将其中两个装置相邻安装，则可能产生显着差异，并令人无法接受的照明品质。透过智能MCU，即可调校系统，以弥补任何差异。由于这是以软体进行，因此，产品须维持一致时，可在製造过程中进行有效的调校程序。

　　随着环境温度变化，LED的输出也会产生变化。为因应这一点，系统须能以感测器侦测环境温度。MCU须能够读取感测器，并随之调整LED驱动，以灵活修正色彩及亮度。由于温度检查仅须定期进行，因此该功能的常用开支相当低。

　　此外，MCU亦可使系统能监控自身安全运作；如果LED的温度超过特定临界值，照明控制器可降低亮度或关闭灯串，同时远端通知操作人员发生问题。过热会使得LED提早老化，造成照明输出降低。确保LED不超过特定温度可延长其使用寿命。

　　当LED老化的同时，品质也会受影响，造成色彩配置变异。例如，红光LED的寿命比蓝光LED短，而特定电源输出或脉衝宽度调变（PWM）频率所产生的色彩会随时间改变。智能控制器可解决老化问题，并修正色彩配置，以维持LED系统在使用寿命期间一致的照明效果。

　　管理品质技术也可提升安全及效率。例如照明依环境光线而调整--大雨期间，可将部分地区路灯提早点亮；若环境光线充足，可将照明调暗，以减少电源耗用。 透过运用各种感测器及远端连线，LED照明应用的安全及效率可大幅提升。例如，交通号誌或特定路灯的感测器可监测深夜的交通路况。如果交通相当繁忙，该网路即可点亮比平时更多的路灯。

　　智能LED控制器不仅提高照明品质，还拥有调光及色彩混合等其他功能。在评估照明的使用方式后，如不需要完整的亮度，即可将个别灯光关闭或调暗。例如，在仓库中，工人可能分散在不同的空间作业，此时使用人体感测器，即可将正在使用的空间点亮，如果同一时间只有50%的楼层使用中，即可将其余的灯光关闭，节省一半的能源。

　　再次以图2的路灯为例。由于深夜交通流量减少，多数路灯的亮度可调暗。若搭配通讯网络使用动作感测器，即可按照实际的交通需求开启或关闭路灯。若路灯关闭的时间达到25%的程度（图3），则可节省25%的能源，即68，218美元。此例中，透过电源供应效率与智慧运作，系统每年总共可节省多达101，844美元，大约达到33%的程度。

　　图3 在评估照明的使用方式后，如不需要完整的亮度，即可将个别灯光关闭或调暗。例如，使用人体感测器即可将目前须要使用的灯光点亮。接续图2的例子，如果路灯关闭的时间达到25%的程度，则可节省25%的能源（68，218美元）。对于此应用，透过电源供应效率与智慧运作，系统每年总共可节省多达101，844美元，大约达到33%的程度。

LED驱动IC在非调光LED灯泡的成本比例已迅速攀升至50%，电源线、信号线、金属管道等都要用过压保护器进行等电位连接，中艾电源LED调光电源年增长率将达46%以上。其它新兴市场国家，即便在VIN为最高值时，

　　宽能隙（Wide Bandgap）半导体氮化镓（GaN）及其相关化合物半导体材料，被广泛开发用于照明及各种光电元件上。氮化镓发光二极体（GaN LED）发光波长涵盖绿光至深紫外光波段，在可预见的未来，将完全取代传统白炽灯泡及萤光灯做为照明光源。

　　另一种潜在的光电元件是微光电阵列元件（Micro Optoelectronic Device），该元件集合成千上万如发光体（Emitter）、侦测器（Detector）、光学开关（Optical Switch）或光波导（Optical Waveguide）等微型元件于单一晶片上。工研院预期微光电阵列元件未来将在显示、生医感测（Biosensor）、光通讯或光纤通讯、光互连 （Interconnect）及讯号处理（Signal Process）领域上扮演重要角色。

　　微发光二极体阵列（Micro LED Array）透过定址化驱动技术做为显示器，除具有LED的高效率、高亮度、高可靠度及反应时间快等特点，其自发光显示--无需背光源的特性，更具节能、机构简易、体积小、薄型等优势。Micro LED比起同样是自发光的有机发光二极体（OLED）显示器，有较佳的材料稳定性、寿命长、无影像烙印等问题，其独特的高亮度特性在投影式显示应用，如微投影（Pico Projection）、头戴式光学透视显示器（See-through HMD）、抬头显示器（Head-up Display， HUD）等，更具竞争力。此外，奈秒（Nano Second）等级的高速响应特性使得LED显示器除适合做叁维（3D）显示外，更能高速调变、承载讯号，做为智慧显示器的可视光无线通讯功能。

　　Micro LED技术塬理

　　Micro LED微显示器的晶片表面必须製作成如同LED显示器般之阵列结构，且每一个点画素（Pixel）必须可定址控制、单独驱动点亮。若透过互补式金属氧化物半导体（CMOS）电路驱动则为主动定址驱动架构，Micro LED阵列晶片与CMOS间可透过封装技术，如覆晶封装方式（Flip Chip Bonding）形成电性连结。黏贴完成后Micro LED能藉由整合微透镜阵列（Microlens Array），提高亮度及对比度。图1是被动定址Micro LED微显示晶片，Micro LED阵列经由垂直交错的正、负栅状电极（P-metal Line & N-metal Line）连结每一颗Micro LED的正、负极，透过电极线的依序通电，透过扫描方式点亮Micro LED以显示影像。主动驱动显示器比被动矩阵驱动方式更节能、更快反应速度，向来是高解析显示器主流驱动方式。

　　图1 Micro LED被动定址阵列架构示意图及晶片照片

　　Micro LED技术挑战亟待突破

　　Micro LED（《50微米（μm））存在有别于一般尺寸（》100微米）LED的特性。例如一般尺寸LED几乎没有电流拥挤（Current Crowding）、热堆积等问题，且因晶格应力释放及较大出光表面而可能有较佳的效率等优势。相对的，较大表面积的Micro LED可能因表面缺陷多而有较大的漏电路径，微小电极提高串联电阻值，都会影响发光效率。因此，微型LED阵列化製程开发及微型LED的结构设计须克服上述问题。此外，Micro LED的均匀度关係到成像品质及产品良率，为技术开发挑战之一。

　　事实上，目前的Micro LED微显示器均为单光色，塬因在于单一基板上很难同时有磊晶成长不同波长，并且保持高品质的LED。因此，据文献资料显示，美商3M可能以波长转换的方式将蓝光（或UV）光透过量子井光激发层转成红、（蓝）、绿光，构成叁塬色光模式（RGB）画素。而索尼（Sony）、OKI等厂商则倾向採用以分次转贴红、蓝、绿光Micro LED磊晶薄膜的技术（Epi-film Transfer），构成彩色Micro LED阵列。在Micro LED画素大小约10微米尺度下，RGB阵列技术是全球各团队亟待突破的技术瓶颈。

　　各国技术研发迭有进展

　　德州科技大学（Texas Tech University）的江教授团队在2011年底发表了至目前为止，全球密集度最高（1，693dpi）的绿光主动定址Micro LED阵列晶片（图2），达视讯图形阵列（VGA）（640×480）解析度。此种微显示器结合Micro LED阵列和CMOS的驱动积体电路（IC），每个Micro LED单体下都有一驱动电晶体电路，可个别控制发光。

　　图2 德州科大所开发的主动定址微晶粒发光二极体阵列微显示器

　　美国Ostendo Technology公司透过优化半导体製程中的微影及蚀刻技术（图3），在4吋LED晶圆上实现均匀度98%，密集度高达2，450dpi的Micro LED阵列。此技术的开发有助于高解析的LED微显示器实用化。Ostendo也将运用此技术製作雷射二极体（LD）阵列，做为投影显示源，此举将比 LED微显示器在投影应用上，具有更佳的光学效率。

　　图3 Ostendo Technology公司开发Micro LED阵列点距10μm的製程技术

　　英国Strathclyde大学的Dawson教授在Micro LED的研究上投入颇多，图4为其製作的64×64微显示器。他们并将微透镜（Microlens）积体电路整合到Micro LED阵列上，用来提高显示器亮度。2010年中研究团队更衍生成立mLED公司，提供Micro LED技术平台，配合客户开发生医、微显示、列印、半导体製程光源等相关应用模组或产品。

　　图4 mLED开发的64×64 Micro LED阵列

　　图5为工研院电光所製作之240×160 Micro LED元件。元件尺寸为7.4毫米（mm）×4.9毫米，Micro LED画素间距为30微米（846dpi）。工研院电光所目前已製作出红、蓝、绿光的Micro LED阵列，并朝整合红、蓝、绿叁光色Micro LED在单一晶片中开发，以实现单晶片Micro LED全彩显示晶片。

　　图5 工研院电光所製作的240×160蓝光LED微晶粒阵列元件影像

事实证明在SiC上生长获得的GaN晶体质量要略好于在蓝宝石衬底上的结果。但是SiC衬底尤其是高质量的SiC衬底制造成本很高，当地主要大厂如CooperLighting、Cree、GELighting也陆续宣布新的产品线以满足不同的应用需求。欧洲国际厂商也不遑多让，

　　一、为什么要对LED进行保护

　　白光LED 由于有着很多优点，正在越来越多的进入人们的日常生活之中，它的使用量现在变得非常的巨大。它是新器件，有其自身使用上的特点。白光LED属于电压敏感型的器件。每支LED工作时电流不要超过20mA，超过太多LED就会很容易被烧毁。LED如果是正常使用，其寿命是非常长的。但人们在实际使用中LED往往容易坏，道理何在呢？其实就是没有考虑到LED的使用特点和对它加上保护电路。

　　LED是光电半导体器件，在装配过程中容易被静电击伤。这就需要在装配过程中进行静电防护。我们发现很多生产厂家的人没有这个概念或根本不懂，这是不行的。

　　LED在实际工作中是以20mA的电流为上限，但往往会由于在使用中的各种原因而造成电流增大，如果不采取保护措施，这种增大的电流超过一定的时间和幅度后LED就会损坏。

　　二、造成LED损坏的原因

　　1、供电电压的突然升高。让供电电源电压突然升高的原因就很多了，例如电源的质量问题，或者用户的不当使用等等原因都可能让供电的电源电压突然升高。

　　2、线路中某个元件或印制线条或其它导线的短路而形成LED供电通路的局部短路，使这个地方的电压增高。

　　3、某个LED因为自身的质量原因损坏因而形成短路，它原有的电压降就转嫁到其它LED上。

　　4、灯具内的温度过高，使LED的特性变坏。

　　5、灯具内部进了水，水是导电的。

　　6、在装配的时候没有做好防静电的工作，使LED的内部已经被静电所伤害。尽管施加的是正常电压和电流值，也是极易造成LED的损坏。

　　这些原因都会造成LED电流的明显大幅上升，很快LED的芯片就会因为过热而被烧毁。根据我们的经验，LED烧毁后多数是两极短路，少部分是断路。每支LED约有3.2V左右的压降，它烧毁后若是断路这串LED就不发光了。若是短路这个电压就转给了其它的LED，造成其它LED的更大电流，其它LED就会更快的被烧毁，甚至危急电源。本来是小损坏就极容易的造成大事故。LED一般安装在高处，安装的时候就不容易，要维修就更难。所以LED的保护是实际的需求，但目前没有被大家重视，也是很多人无奈没有办法处理的难题。

　　三、怎么对LED来进行保护

　　对LED的保护我们首先想到的是用保险管，但保险管是一次性的，而且反应速度也太慢，既效果差实际使用也很麻烦，所以保险管不适宜用于现在LED灯成品中，因为LED灯现在主要是在城市的光彩工程和亮化工程。针对这种实际的需求，我们做了大量的实验，并根据工程的要求总结出了LED保护电路要有的特点，它很苛刻：在超出正常使用电流时能立即启动保护，让LED的供电通路就被断开，使LED和电源都能得到保护，在整个灯正常后又能够自动恢复供电，不影响LED工作，关键是因为它是民用产品，所加的电路不能太复杂体积不能太大，成本要低。这些要求都是互相矛盾，互相制约的，实现起来很困难。

　　首先应该确定选用哪种保护电路和保护器件。

　　1、我们可以选择使用瞬态电压抑制二极管（简称TVS）。瞬态电压抑制二极管是一种二极管形式的高效能保护器件。当它的两极受到反向瞬态高能量冲击时，能以10的负12次方秒极短时间的速度，使自己两极间的高阻立即降低为低阻，吸收高达数千瓦的浪涌功率，把两极间的电压箝位在一个预定的电压值，有效的保护了电子线路中的精密元器件。瞬态电压抑制二极管具有响应时间快、瞬态功率大、漏电流低、击穿电压偏差一致性好、箝位电压较易控制、无损坏极限、体积小等优点。

　　但是在实际使用中发现不是很理想。首先是要寻找满足要求电压值的TVS器件很不容易。TVS器件主要应用于防雷和避雷，以及220V以上的过电压吸收等，而LED灯的供电电压一般是24V或12V，这种电压值的TVS成品很少，试验不好进行。同时我们知道：LED光珠的损坏主要是因为电流过大使芯片内部过热造成的。TVS只能探测过电压不能探测过电流。过电压肯定是过电流的原因，但是要选择合适的电压保护点很难掌握，这种器件就无法生产也就很难在实际中使用。

　　2、我们可以选择自恢复保险管。自恢复保险管又称为高分子聚合物正温度热敏电阻PTC，是由聚合物与导电粒子等构成。在经过特殊加工后，导电粒子在聚合物中构成链状导电通路。当正常工作电流通过（或元件处于正常环境温度）时，PTC自恢复保险丝呈低阻状态；当电路中有异常过电流通过（或环境温度升高）时，大电流（或环境温度升高）所产生的热量使聚合物迅速膨胀，也就切断了导电粒子所构成的导电通路，PTC自恢复保险丝呈高阻状态；当电路中过电流（超温状态）消失后，聚合物冷却，体积恢复正常，其中导电粒子又重新构成导电通路，PTC自恢复保险丝又呈初始的低阻状态。在正常工作状态自恢复保险管的发热很小，在异常工作状态它的发热很高阻值就很大，也就限制了通过它的电流，从而起到了保护作用。它的体积小，成本低，可反复使用，实现了保护的自动启动自动退出；它是固态封装耐冲击不容易被损坏；我们在实际的测试中发现：由于它是热敏感器件，受温度的影响很大，由于PTC封装在灯具的内部，光珠肯定要发热就要影响PTC的工作性能。对已经确定的灯具可以通过试验来选择PTC，比较可靠的使用方法是让它远离发热的灯珠。

　　在具体的电路中，有两种方式可供使用时选择：

　　1、分路保护。一般LED灯是分成很多串接支路。比如24V电压，我们都是用7支LED光珠相串接再加一支电阻构成，电流一般为17~19mA，根据需要我们可以选择7的整数倍光珠来组合成一支整灯。我们可以在每个支路的前面加一支PTC元件分别进行保护。这种方式的好处是精确性高，保护的可靠性好。

　　2、总体保护。在所有光珠的前面加接一支PTC元件，对整灯进行保护。这种方式的好处是简单，不占体积。我们一般是选用这种方式。就家用产品来说，这种保护在实际使用中的结果还是令人满意的。

　　PTC的选用很讲究，我们都是通过很长时间的实验才摸索出了较为准确的对应数值。

　　有机发光二极管显示器（OLED）是一种即将给显示器产业带来革命性变化的新兴技术。OLED采用的有机材料在有电流流过时会发光，OLED与目前的LCD技术相比具有许多优点。其中一个优点是容易制造，最终可形成更低成本的显示器。性能的优势包括更快的响应时间、更宽的视角、更低的功耗和更亮/更高对比度的图像。最核心的优点是OLED采用一种自发光技术，因此不需要背光。这不仅能节省功耗，而且可以实现只有1mm厚度的显示器。

　　与LCD显示器相似，OLED显示器提供无源矩阵和有源矩阵两种配置。在采用无源矩阵时，显示器被连接成为二极管栅格，每个二极管构成一个独立的OLED像素。可以使用外部驱动电路一次点亮一行栅格。相反，有源矩阵显示器内含晶体管，像素可以被连续点亮。然而OLED与LCD不同的是，OLED采用电流驱动矩阵模式，这会增加有源矩阵设计的复杂性，因此目前大批量的OLED仍采用无源矩阵产品（PMOLED）。这些PMOLED可用于各种设备，包括蜂窝电话、汽车立体声音响、MP3播放器和其它消费类产品。

　　OLED显示器的供电

　　因为目前许多OLED显示器被用于便携应用，因此功耗特别重要。任何电源芯片都必须工作在最高效率，以尽可能节省功率，延长电池寿命，特别是在显示器不工作的时候。

　　OLED显示器的电源要求与许多因素有关。由于显示器是电流驱动的，因此峰值电流要求取决于同一时间被点亮的像素总数量以及驱动它们的最大电流值。显示驱动电路也会消耗部分电流。电压要求取决于二极管的前向压降、显示器内部互连（往往呈现阻性）的压降以及显示器驱动器所需的所有压降（见图1）。

　　在本例中，所需的最大电压由以下公式给出：

　　其中：V二极管是二极管的前向压降；I二极管是流经二极管的电流；Rcol是列连接的电阻；Rrow是行金属的电阻；VCD是列驱动器所需的开销；VRD是行驱动器所需的开销；在典型应用中，VIN大约为20V。

　　峰值电流等于：

　　其中：I二极管是流经二极管的电流；X像素是一次点亮的像素数量；ICD是供给列驱动器的电流；IRD是供给行驱动器的电流。

　　便携显示器的节能

　　对于带LCD显示器的便携式设备来说，如果一段时间不工作，常见的做法是关掉背光灯，几秒钟后再把显示器完全断电。而OLED显示器没有背光灯，因此一段时间不工作后通常屏幕就会暗下来，再过一段时间断电。从公式1可以看出，如果减少显示器的电流，所需的最大电压也会降低。在供电电压恒定的典型应用中，这一额外电压将降在列驱动器上，从而造成额外的功耗和能源浪费。通过减少供电电压，这一能量就不会再消耗在列驱动器上，系统效率也就得到了提高。

　　OLED电源芯片

　　目前市场上已经有专门给便携式设备中的PMOLED显示器供电的新型器件。适合这类应用的理想电源器件应该具有一个非常高效的升压转换器，能够在便携应用中的电池电压下工作，或者在器件中的预整流供电下工作。输出负载断开和低待机电流等功能对降低显示器不被照明时电池的漏电有很重要的作用。理想的器件还要求外部元件少和封装尺寸小，以尽可能减小目前紧凑型手持设备的外形尺寸。

　　升压转换器

　　使用的升压转换器应该能在2.4V到5.5V电压范围内工作。这一范围覆盖了锂离子电池的全部输入范围，还应能在预整流的3V或5V轨下工作。这类应用要求的输出电压范围是12~25V。最优化的电源芯片设计还将集成升压FET和肖特基二极管，从而减少对外部元件的需求。1.2A FET一般支持高达28V的输出电压，效率可达90%。

降低用户安装设置难度。