第7代IGBT有650V、950V和1200V三种电压等级，代表了最新的IGBT芯片技术。
新的1200V IGBT是专门为满足电机驱动应用的要求而设计的。在赛米控，它们有两个供应商，即IGBT T7和IGBT M7。这两种IGBT都具有显著降低的正向压降Vce,sat，并提供优化的开关性能。由于在相同的标称电流下，芯片体积小了约25%，因此可以将更高的额定电流装入现有的电源模块封装中。此外，所有第7代IGBT都具有改进的湿度鲁棒性，进一步提高了恶劣环境条件下的可靠性。
产品资料及价格：13310877936 15986817212 QQ 1335738852翁小姐
在应用中，1200V IGBT第7代可降低功率损耗或提高最大输出功率和功率密度，从而转化为更低的系统成本。在电机驱动方面，第7代IGBT最初将被引入到传统的驱动拓扑结构中。CIB(转换器-逆变器-制动器)、三相全桥和半桥的拓扑结构。对于中低功率驱动，MiniSKiiP和SEMITOP E1/E2的IGBT T7是第一选。对于更高的功率等级，IGBT M7可用于SEMiX 3 press-fit和SEMiX 6 press-fit。更多的功率模块将陆续推出。
950V IGBT是专门为光伏应用设计的，有两种不同的芯片特性，S7和L7。S7表现出很低的开关损耗，而L7芯片则是为极低的正向压降Vce,sat而设计的。这两款芯片都能与复杂的三电平拓扑结构（如ANPC（主动中性点箝位））结合。有了这两款芯片，它们可以服务于直流母线电压高达1500VDC的太阳能和储能系统应用。